10nm工艺骁龙835首现身 同时支持最新快充4.0

时间:16-11-18 02:02 责任编辑: 来源: 点击:


 
  17日,高通公司宣告将与三星电子协作开发下一代旗舰级处理器骁龙835,据称835将选用三星最抢先的10nm制造技术。其他,高通标明835将支持最新的快充技术Quick Charge 4.0。
  
  因为选用全新的10纳米制程技术,高通方面标明骁龙835处理器将具有更低的功耗以及更高功用,然后进步移动设备的用户领会。
  
  据悉,本年10月份,三星就首要发布了10纳米技术的量产,与上代14纳米技术对比,10纳米可以减少30%的芯片规范,一同进步27%的功用以及降低40%的功耗。
  
  凭仗10纳米技术制程,高通骁龙835处理器具有更小的SoC规范,让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构,比如增加电池或是完结更轻薄的规划等等。此外,制程技术的进步也会改善电池续航才干。
  
  现在骁龙835现已投入生产,估量搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年接连出货。
  
  除了骁龙835处理器以外,高通还正式发布了全新的Quick Charge 4.0快充技术。
  
  QC 4.0将会在前几代方案的基础上继续进步充电功率,官方称充电5分钟可以延伸手机运用时长5小时,充电功率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,适配规划更广泛。
  
  USB-PD是谷歌最新在安卓兼容性界说文档(Android Compatibility Definition Document)中参与的条目,谷歌强烈建议制造商不要运用Quick Charge这么的非规范性的USB-C充电方案,而是遵照USB-PD的技术规范。不过,跟着最新的QC4.0现已支持USB-PD,谷歌所说的“非规范充电”也就不再有用。
  
  值得一提的是,高通还着重QC 4.0运用了智能洽谈最佳电压(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法和热处理技术。该技术的最大特色在于,通过智能处理设备的充电电量,能有用防止过热疑问,然后大大减少充电时爆炸的风险。
  
  高通标明,全部运用Snapdragon 835的手机将取得三级电流和四级电压维护,以防止过热。其他,和上一代技术对比,Quick Charge 4.0也将让手机温度降低高达5摄氏度。
  
  业内人士猜想,这次高通与三星协作研制,很可能意味着三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835,而更首要的是,运用了QC 4.0的S8将比Note7更安全。
    与本文的相关文章推荐

    最新更新

    视觉焦点

    新闻排行

    1. 没带作业被打“骨折”? 幼儿园罚站 狗狗罚站 打手
    2. 老人省钱徒步40公里? 省钱秘籍 徒步墨脱 老夫妻徒
    3. 她初次见面开房被盗? 女子见网友被囚禁 见网友
    4. 男子弄丢八旬“老爹”? 找到母亲后又弄丢 老人走失
    5. 大二女生被黑车要挟? 黑车司机囚禁 黑车的危害 黑
    6. 大学生种地年薪“吓人”? 闻屁师年薪30万 鲁尼年薪
    7. 谎报警有“炸弹”结果? 报假警称有炸弹 酒后无聊报
    8. 新生儿暴增? 新生儿必需品 新生儿育儿 新生儿健康
    9. 地铁在线色狼?_上海地铁色狼_打痛咸猪手_上海地铁
    10. 小伙子“捡耳朵”听到线索后发到了社区微信群